摘要：1、[单选题] 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止 2、[多选题] 相控整流电路实现有源逆变的条件有（ ）。A、负载侧存在直流电势B、直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值C、晶闸管触发角大于90度D...

A、一次击穿

B、二次击穿

C、临界饱和

D、反向截止

A、负载侧存在直流电势

B、直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值

C、晶闸管触发角大于90度

D、晶闸管触发角小于90度

A、对

B、错

A、30°

B、60°

C、120°

D、150°

A、大于0.5

B、等于0.5

C、小于0.5

D、小于0.1

A、700V

B、750V

C、800V

D、850V

A、交流

B、直流

C、单相

D、三相

A、对

B、错

A、对

B、错

A、对

B、错

A、0.5-1.5us

B、0.6-1.6us

C、0.7-1.7us

D、0.8-1.8us

A、1/2

B、1/3

C、1/4

D、1/5

A、对

B、错

A、变压器二次侧接成星形

B、变压器一次侧接成三角形

C、三个晶闸管分别接三个三相电源

D、三个晶闸管接一个三相电源

A、上升时间

B、下降时间

C、延迟时间

D、关断时间

A、双极性器件

B、单极性器件

C、复合型器件

D、双-单极性器件

A、同步电压

B、控制电压

C、脉冲变压器变比

D、电流

A、换相重叠角

B、晶闸管关断时间所对应的电角度

C、安全裕量角

D、控制角

A、对

B、错

A、60°

B、90°

C、120°

D、150°

A、正向电压

B、反向电压

C、正向电流

D、触发电流

A、采用相同器件可达更大发射功率

B、采用不同器件可达更大发射功率

C、可以提高功率因数，减小对供电网络的干扰

D、可以减低功率因数，减小对供电网络的干扰

A、电压与电流成正比

B、电压与电流成反比

C、电压与电流波形相同

D、电压与电流波形不同

A、交交变频

B、交直变频

C、交值交变频

D、直交变频

A、对

B、错

A、阻感负载，电感值很大

B、阻感负载，电感值很小

C、Id波形基本平直

D、Id波形接近正旋

A、对

B、错

A、对

B、错

A、对

B、错

A、存储时间

B、下降时间

C、上升时间

D、漂移时间